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霍尔效应测试系统（HET-3HT）

霍尔效应测试系统HET-3依据范德堡法则测量材料的电运输性能参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或薄层材料均可测量，可应用于所有半导体材料，包括Si、ZnO、SiGe、SiC，GaAs，InGaAs，InP，GaN（N型&P型均可测量）,广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。
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 产品技术参数

型号 HET-3HT
温度范围 100K~600K（可连续变温）
磁场稳定性 ±2％/每年
磁场强度 5000Gs
温控精度 ±0.5K
输出电流 100pA-100mA
迁移率 1-107cm²/Volt-sec
阻抗 10-6~ 107Ω·CM
载流子浓度 107 ~1021/cm-3
样品测量板 样品边长5~15mm，厚度10nm~1mm
重量 80kg

 

 
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产品特点
● 自主知识产权产品。
● 采用高精密度恒流源和电压表，确保仪器测试的良好准确度和高稳定性，性能优越。
● 自动控制磁场方向的改变，更加方便准确。
● 样品装夹方式快速方便，且使用能够解决欧姆接触的样品芯片。
● 产品工业外观采用一体化、精密化设计，融入人性化的设计理念，不仅赏心悦目而且操作方便。
● 智能化的用户界面操作简单，功能齐全的软件平台带给客户友好的操作体验，使测试过程更加方便快捷。
产品应用
● 判断半导体材料类型
● 太阳能电池片的制程辅助
● 晶圆电性能的判断
● 热电材料研究
客户案例
● 西南大学
● 武汉工程大学
● 武汉工程大学　　　　
Keyword:
范德堡法
载流子浓度
迁移率
霍尔系数
电阻率
自动控制磁场方向
变温霍尔效应
霍尔效应测试系统

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