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霍尔效应测试系统(HET-3RT)

霍尔效应测试系统HET-3RT依据范德堡法则测量材料的电运输性能参数,如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或薄层材料均可测量,可应用于所有半导体材料,包括Si、ZnO、SiGe、SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量),广泛应用于国内高校、研究所、半导体、金属、高热导有机新材料等行业。
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产品编号

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产品技术参数
产品特点
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 产品技术参数

设备型号 HET-3RT
温度范围 RT
磁感应强度 0.68T
恒流源范围 1nA~100mA
电压表范围 1nV~30V
迁移率范围 1~107cm2/(V·s)
霍尔系数范围 10-3~109cm3/C
载流子浓度范围 107 ~1021/cm-3
电阻率范围 10-6~107Ω·cm
样品尺寸

边长或直径:10mm~20mm

厚度:10nm-1mm

主机尺寸 570x545x380(mm)
重量 50kg

 

 
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产品特点
● 自主知识产权产品。
● 采用高精密度恒流源和电压表,确保仪器测试的良好准确度和高稳定性,性能优越。
● 自动控制磁场方向的改变,更加方便准确。
● 样品装夹方式快速方便,且使用能够解决欧姆接触的样品芯片。
● 产品工业外观采用一体化、精密化设计,融入人性化的设计理念,不仅赏心悦目而且操作方便。
● 智能化的用户界面操作简单,功能齐全的软件平台带给客户友好的操作体验,使测试过程更加方便快捷。
产品应用
● 判断半导体材料类型
● 太阳能电池片的制程辅助
● 晶圆电性能的判断
● 热电材料研究
客户案例
● 西南大学
● 武汉工程大学
● 武汉工程大学    

霍尔效应测试系统操作讲解视频:

Keyword:
范德堡法
载流子浓度
迁移率
霍尔系数
电阻率
自动控制磁场方向
霍尔效应测试仪
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